PE42722B-Z是一款采用HaRP?技術(shù)增強(qiáng)的反射式單刀雙擲射頻開關(guān),專為有線應(yīng)用設(shè)計(jì),包括DOCSIS 3.0/1有線調(diào)制解調(diào)器和機(jī)頂盒。該器件在5-1794 MHz頻段內(nèi)提供高線性度和卓越的諧波性能,同時(shí)具備低插入損耗和高隔離度特性,使其成為DOCSIS 3.1應(yīng)用的理想選擇。
PE42722B-Z采用Peregrine專利UltraCMOS?工藝制造,該工藝是在藍(lán)寶石襯底上應(yīng)用的絕緣體上硅(SOI)技術(shù)變體,兼具砷化鎵的性能優(yōu)勢與傳統(tǒng)CMOS的經(jīng)濟(jì)性及集成度。
PE42722B-Z 特性
? 支持DOCSIS 3.0/1規(guī)范要求
? 卓越諧波抑制性能
? 170 MHz時(shí)2次諧波抑制達(dá)-117 dBc
? 170 MHz時(shí)3次諧波抑制達(dá)-134 dBc
? 全頻段線性度業(yè)界領(lǐng)先
? 低插入損耗與高隔離性能
? 1218 MHz時(shí)插入損耗僅0.3 dB
? 204 MHz時(shí)隔離度達(dá)50 dB
? 高靜電放電耐受性:1.5 kV HBM
? 封裝形式:32引腳5×5毫米QFN
PE42722B-Z 應(yīng)用
? 寬帶市場(DOCSIS 3.0/1)
? 有線調(diào)制解調(diào)器
? 機(jī)頂盒
? 濾波器組切換
? 替代繼電器實(shí)現(xiàn)DOCSIS 3.0與DOCSIS 3.1配置切換
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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pSemi公司隸屬于村田muRata,致力于推動(dòng)半導(dǎo)體集成。pSemi以30年技術(shù)進(jìn)步傳統(tǒng)和強(qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)組合為基礎(chǔ),并且肩負(fù)起了新使命,即幫助加強(qiáng)村田在高性能 RF、模擬、混合信號和光學(xué)解決方案上領(lǐng)先世界的一流能力。依托在 RF 集成方面的強(qiáng)大基礎(chǔ),pSemi 的產(chǎn)品組合現(xiàn)在橫跨…
PE4314B-Z
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