商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:ON
年份:25+
封裝:H-PSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NTBL023N065M3S器件是一款碳化硅(SiC)MOSFET,設(shè)計(jì)用于快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,提供可靠的性能??。NTBL023N065M3S 在 VGS = 18V 時(shí)具有 23mΩ 的典型 RDS(on)、超低柵極電荷 (QG(tot) = 69nC) 和低電容的高速開(kāi)關(guān) (Coss = 152pF)。NTBL023N065M3S SiC MOSFET 非常適合開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源 (UPS)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用,為現(xiàn)代電源管理需求提供強(qiáng)大的性能。
技術(shù)參數(shù)
封裝 / 箱體:H-PSOF-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:77 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:32.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:69 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:312 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:9.6 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產(chǎn)品:SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:15 ns
系列:NTBL023N065M3S
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NVH4L050N65S3F
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