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規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V，40A，場(chǎng)截止溝槽型IGBT晶體管，TO-247N-3
封裝：TO-247N-3
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、15A、溝槽型場(chǎng)截止 IGBT晶體管，TO-247N-3
封裝：TO-247N-3
產(chǎn)品說(shuō)明：650V 50A 場(chǎng)截止溝槽型IGBT
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
封裝：TO-247GE
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：1700 V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管
封裝：TO-3PFM-3
產(chǎn)品說(shuō)明：650V 118A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V, 567A, 內(nèi)置半橋溝槽MOS的全SiC功率模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說(shuō)明：LCD 驅(qū)動(dòng)器 3wire+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 線路/框架
封裝：VQFP-80
產(chǎn)品說(shuō)明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場(chǎng)截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-247N-3
產(chǎn)品說(shuō)明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場(chǎng)截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-247N-3
產(chǎn)品說(shuō)明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場(chǎng)截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說(shuō)明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場(chǎng)截止溝槽式 IGBT 晶體管
封裝：TO-247-4電話咨詢：86-755-83294757
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