TP70H480G4JSGB 700V、480mΩ 氮化鎵(GaN)FET 是一款常關(guān)器件,采用第四代SuperGaN平臺。它結(jié)合了最先進的高壓氮化鎵 HEMT 和低壓硅 MOSFET,提供卓越的可靠性和性能。其主要特性包括:
■ 第四代技術(shù)
■ JEDEC合格的氮化鎵技術(shù)
■ 動態(tài) RDS(on)eff 生產(chǎn)測試
■ 堅固的設(shè)計,定義為
● 瞬態(tài)過壓能力
● 使用 E 模式柵極驅(qū)動器運行,無需齊納保護。
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標準的無鹵包裝
■ 2 kV HBM ESD 額定值
該第四代 SuperGaN? 平臺采用先進的外延和專利設(shè)計技術(shù),通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷來簡化可制造性,同時提高硅效率。
應(yīng)用領(lǐng)域
TP70H480G4JSGB廣泛用于以下領(lǐng)域
■ 消費領(lǐng)域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
M38049FFLHP
M38049FFLHP是一款基于740系列內(nèi)核的8位CMOS微控制器,64引腳,采用LFQFP封裝 。RBN75H65T1FPQ-A0
RBN75H65T1FPQ-A0 650V、75A 溝槽絕緣柵雙極晶體管(IGBT)提供低集電極至發(fā)射極飽和電壓、內(nèi)置快速恢復二極管(FRD),可用于電源開關(guān)應(yīng)用。M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產(chǎn)的 8 位微控制器,屬于 3804L 系列。TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產(chǎn),支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…電話咨詢:86-755-83294757
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