TP70H150G4LSGB是（Renesas）推出的 700V SuperGaN? 常關型氮化鎵（GaN）場效應晶體管，采用8×8 PQFN行業(yè)標準封裝。TP70H150G4LSGB的導通電阻為150m? ，它基于 Gen IV SuperGaN? 平臺，通過集成高壓 GaN HEMT 和優(yōu)化低壓 硅MOSFET ，實現超過2kV人體模型靜電放電（HBM ESD）等級。
核心特征
■ 第四代技術
■ JEDEC合格的氮化鎵技術
■ 動態(tài) RDS（on）eff 生產測試
■ 堅固的設計，定義為
● 瞬態(tài)過壓能力
● 使用 E 模式柵極驅動器運行，無需齊納保護
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標準的無鹵包裝
■ 2 kV HBM ESD 額定值
典型應用
■ 消費領域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統
型號
品牌
封裝
數量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一，在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立，以領先的科技實現人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識，配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
M38049FFLHP
M38049FFLHP是一款基于740系列內核的8位CMOS微控制器，64引腳，采用LFQFP封裝 。
RBN75H65T1FPQ-A0
RBN75H65T1FPQ-A0 650V、75A 溝槽絕緣柵雙極晶體管（IGBT）提供低集電極至發(fā)射極飽和電壓、內置快速恢復二極管（FRD），可用于電源開關應用。
M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產的 8 位微控制器，屬于 3804L 系列。
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：晶體管極性：N-Channel通道數量：1 ChannelVds-漏源極…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…
AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存，由Renesas生產，支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口，適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性：通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率（DTR）高達 84MHz…電話咨詢：86-755-83294757
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